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Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFH16N120P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFH16N120P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO247AD
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
998 Pz Nuovo Originale Disponibile
12821830
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IXFH16N120P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
6.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6900 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
660W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247AD (IXFH)
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IXFH16
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IXF(H,T)16N120P
Scheda Dati HTML
IXFH16N120P-DG
Schede dati
IXFH16N120P
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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