Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFE36N100
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFE36N100-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 33A SOT227B
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 33A (Tc) 580W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventario:
12821506
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IXFE36N100 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
-
Serie
HiPerFET™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
455 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
580W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-227B
Pacchetto / Custodia
SOT-227-4, miniBLOC
Numero di prodotto di base
IXFE36
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
10
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFN38N100P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXFN38N100P-DG
PREZZO UNITARIO
36.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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