IXFB90N85X
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFB90N85X

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFB90N85X-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 850V 90A PLUS264
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 850 V 90A (Tc) 1785W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventario:

14 Pz Nuovo Originale Disponibile
12908695
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IXFB90N85X Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
850 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
13300 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1785W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS264™
Pacchetto / Custodia
TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base
IXFB90

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXFB90N85X
Scheda Dati HTML
IXFB90N85X-DG
Schede dati
IXFB90N85X

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
25

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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