IXFB210N30P3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFB210N30P3

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFB210N30P3-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 300V 210A PLUS264
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 300 V 210A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventario:

RFQ Online
12819977
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IXFB210N30P3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
300 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 105A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 8mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
268 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16200 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS264™
Pacchetto / Custodia
TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base
IXFB210

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXFB210N30P3
Scheda Dati HTML
IXFB210N30P3-DG
Schede dati
IXFB210N30P3

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
25
Altri nomi
-IXFB210N30P3

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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