IXFB170N30P
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFB170N30P

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFB170N30P-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 300V 170A PLUS264
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 300 V 170A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS264™

Inventario:

12820287
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IXFB170N30P Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
300 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
258 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
20000 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PLUS264™
Pacchetto / Custodia
TO-264-3, TO-264AA
Numero di prodotto di base
IXFB170

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
25

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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