IXFA8N65X2
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IXFA8N65X2

Product Overview

Produttore:

IXYS

Numero di Parte:

IXFA8N65X2-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 150W (Ta) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

RFQ Online
13270732
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IXFA8N65X2 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
790 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXFA8N65

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IXF(Y,A,P)8N65X2 Building, Home Automation Appl Guide

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
238-IXFA8N65X2

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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