Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFA4N100P
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFA4N100P-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventario:
12819527
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IXFA4N100P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
1000 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1456 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263AA (IXFA)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IXFA4N100
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFBF30STRLPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
911
NUMERO DI PEZZO
IRFBF30STRLPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.50
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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