Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF60B217
Product Overview
Produttore:
International Rectifier
Numero di Parte:
IRF60B217-DG
Descrizione:
TRENCH 40<-<100V
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
3490 Pz Nuovo Originale Disponibile
12976825
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IRF60B217 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Imballaggio
Bulk
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 50µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2230 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3-1
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
388
Altri nomi
2156-IRF60B217
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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