Numero di Prodotto del Fabbricante:
SPW55N80C3FKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
SPW55N80C3FKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 54.9A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
450 Pz Nuovo Originale Disponibile
12807852
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SPW55N80C3FKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ C3
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
54.9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.9V @ 3.3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
288 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7520 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
SPW55N80
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
SP000849356
SPW55N80C3FKSA1-DG
448-SPW55N80C3FKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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