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Numero di Prodotto del Fabbricante:
SPP08P06PHXKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
SPP08P06PHXKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
RFQ Online
12855996
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SPP08P06PHXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
SIPMOS®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
420 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
42W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
SPP08P
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
SPP08P06PHXKSA1-DG
Schede dati
SPP08P06PHXKSA1
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
IFEINFSPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P H-DG
2156-SPP08P06PHXKSA1
SPP08P06P G-DG
SP000446908
SPP08P06P H
SPP08P06P G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STP10P6F6
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
555
NUMERO DI PEZZO
STP10P6F6-DG
PREZZO UNITARIO
0.62
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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