Numero di Prodotto del Fabbricante:
SPP08N80C3XKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
SPP08N80C3XKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
1997 Pz Nuovo Originale Disponibile
12807363
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SPP08N80C3XKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.9V @ 470µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
SPP08N80
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP000683156
SPP08N80C3IN
SPP08N80C3IN-NDR
SPP08N80C3XKSA1-DG
SPP08N80C3XTIN-DG
SPP08N80C3X
448-SPP08N80C3XKSA1
SPP08N80C3
SPP08N80C3IN-DG
SPP08N80C3XTIN
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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