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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
SPB80P06P
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
SPB80P06P-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
RFQ Online
12807080
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SPB80P06P Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
SIPMOS®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 5.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
173 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5033 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
340W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SPB80P
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
SPB80P06P-DG
Schede dati
SPB80P06P
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
SP000012841
SPB80P06PT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SPB80P06PGATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
41
NUMERO DI PEZZO
SPB80P06PGATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.96
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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