Numero di Prodotto del Fabbricante:
ISC015N04NM5ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
ISC015N04NM5ATMA1-DG
Descrizione:
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventario:
1719 Pz Nuovo Originale Disponibile
12993090
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ISC015N04NM5ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™-5
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
33A (Ta), 206A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.4V @ 60µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4800 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TDSON-8 FL
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
ISC015N
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
448-ISC015N04NM5ATMA1DKR
SP005352240
448-ISC015N04NM5ATMA1CT
448-ISC015N04NM5ATMA1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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