Numero di Prodotto del Fabbricante:
ISC009N06LM5ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
ISC009N06LM5ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 41A/348A TSON-8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 41A (Ta), 348A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-3
Inventario:
2780 Pz Nuovo Originale Disponibile
12965375
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ISC009N06LM5ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 5
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
41A (Ta), 348A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 147µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
209 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TSON-8-3
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Numero di prodotto di base
ISC009N
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
448-ISC009N06LM5ATMA1DKR
448-ISC009N06LM5ATMA1CT
448-ISC009N06LM5ATMA1TR
SP005400730
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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