Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRLS4030-7PPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRLS4030-7PPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Inventario:
12818562
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IRLS4030-7PPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
190A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 110A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
140 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
11490 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
370W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK (7-Lead)
Pacchetto / Custodia
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Risorse di progettazione
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP001568682
IRLS40307PPBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB039N10N3GATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
29647
NUMERO DI PEZZO
IPB039N10N3GATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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