Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRL80HS120
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRL80HS120-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 12.5A (Tc) 11.5W (Tc) Surface Mount 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Inventario:
35804 Pz Nuovo Originale Disponibile
12806219
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IRL80HS120 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 10µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
11.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Pacchetto / Custodia
6-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
IRL80HS120
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
SP001592838
IRL80HS120TR
IRL80HS120CT
IRL80HS120DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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