Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRL6372TRPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRL6372TRPBF-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
13964 Pz Nuovo Originale Disponibile
12808963
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IRL6372TRPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.1V @ 10µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1020pF @ 25V
Potenza - Max
2W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SO
Numero di prodotto di base
IRL6372
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
IRL6372TRPBFDKR
IRL6372TRPBFTR
IRL6372TRPBFCT
SP001569038
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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