Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRL3502S
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRL3502S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
12806823
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IRL3502S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 64A, 7V
vgs(th) (massimo) @ id
700mV @ 250µA (Min)
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4700 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
*IRL3502S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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