IRFSL7440PBF
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRFSL7440PBF

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IRFSL7440PBF-DG

Descrizione:

MOSFET N CH 40V 120A TO-262
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262

Inventario:

1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12818657
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IRFSL7440PBF Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
HEXFET®, StrongIRFET™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.9V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4730 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
208W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
IRFSL7440

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
SP001573650
IRFSL7440PBF-DG
448-IRFSL7440PBF

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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