Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFR9N20DPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRFR9N20DPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventario:
12804309
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IRFR9N20DPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
560 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
86W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA (DPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
SP001565076
2156-IRFR9N20DPBF
INFINFIRFR9N20DPBF
*IRFR9N20DPBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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