IRFL024NTRPBF
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRFL024NTRPBF

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IRFL024NTRPBF-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Inventario:

7355 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804102
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IRFL024NTRPBF Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
400 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-223
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
IRFL024

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IRFL024NTRPBFDKR
SP001575806
IRFL024NTRPBF-DG
IRFL024NTRPBFCT
IRFL024NTRPBFTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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