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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFH5210TR2PBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRFH5210TR2PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 10A (Ta), 55A (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventario:
RFQ Online
12818599
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IRFH5210TR2PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.9mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2570 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-PQFN (5x6)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IRFH5210PBF
Scheda Dati HTML
IRFH5210TR2PBF-DG
Schede dati
IRFH5210TR2PBF
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
400
Altri nomi
IRFH5210TR2PBFCT
IRFH5210TR2PBFTR
SP001556356
IRFH5210TR2PBFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TPH12008NH,L1Q
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
5000
NUMERO DI PEZZO
TPH12008NH,L1Q-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STL60N10F7
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
2720
NUMERO DI PEZZO
STL60N10F7-DG
PREZZO UNITARIO
0.51
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
DMT10H015LFG-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
37130
NUMERO DI PEZZO
DMT10H015LFG-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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