Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRFB3207PBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRFB3207PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 75 V 170A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
12803146
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IRFB3207PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
75 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7600 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
330W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IRFB3207
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Altri nomi
SP001572410
IFEINFIRFB3207PBF
2156-IRFB3207PBF
*IRFB3207PBF
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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