Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRF7910TRPBF

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IRF7910TRPBF-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SO

Descrizione Dettagliata:

Mosfet Array 12V 10A 2W Surface Mount 8-SO

Inventario:

RFQ Online

12823192

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IRF7910TRPBF Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET

Produttore

Infineon Technologies

Imballaggio

-

Serie

HEXFET®

Stato del prodotto

Obsolete

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Configurazione

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione da drain a source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 8A, 4.5V

vgs(th) (massimo) @ id

2V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1730pF @ 6V

Potenza - Max

2W

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Numero di prodotto di base

IRF7910

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

IRF7910TRPBF-DG

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

4,000

Altri nomi

IRF7910TRPBFTR

IRF7910TRPBFDKR

INFINFIRF7910TRPBF

SP001565662

IRF7910TRPBF-DG

IRF7910TRPBFCT

2156-IRF7910TRPBF

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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