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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF7702
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF7702-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 12 V 8A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 8-TSSOP
Inventario:
RFQ Online
12805078
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IRF7702 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 8A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3470 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-TSSOP
Pacchetto / Custodia
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IRF7702
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI6423DQ-T1-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
8352
NUMERO DI PEZZO
SI6423DQ-T1-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.65
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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