Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF7523D1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF7523D1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™
Inventario:
12804526
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IRF7523D1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
FETKY™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
210 pF @ 25 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
1.25W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Micro8™
Pacchetto / Custodia
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
95
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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