Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF6775MTRPBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF6775MTRPBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Inventario:
13349 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804047
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IRF6775MTRPBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1411 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DIRECTFET™ MZ
Pacchetto / Custodia
DirectFET™ Isometric MZ
Numero di prodotto di base
IRF6775
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,800
Altri nomi
IRF6775MTRPBFCT
IRF6775MTRPBFDKR
IRF6775MTRPBFTR
SP001562042
IRF6775MTRPBF-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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