Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF6637TR1PBF
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF6637TR1PBF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 14A (Ta), 59A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MP
Inventario:
12806141
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IRF6637TR1PBF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
14A (Ta), 59A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.7mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.35V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1330 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DIRECTFET™ MP
Pacchetto / Custodia
DirectFET™ Isometric MP
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IRF6637TR1PBFTR
IRF6637TR1PBFCT
IRF6637TR1PBFDKR
SP001524760
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPS13N03LA G
MOSFET N-CH 25V 30A TO251-3
IRFR18N15DTR
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFH7934TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 24A 5X6 PQFN