Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF6603
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF6603-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Inventario:
12804028
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IRF6603 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A (Ta), 92A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
+20V, -12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6590 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
DIRECTFET™ MT
Pacchetto / Custodia
DirectFET™ Isometric MT
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,800
Altri nomi
IRF6603TR
SP001530098
IRF6603CT
*IRF6603
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PSMN3R5-30YL,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
7138
NUMERO DI PEZZO
PSMN3R5-30YL,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.40
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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