Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF5802
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF5802-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventario:
12804972
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IRF5802 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
88 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
Micro6™(TSOP-6)
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SI3442BDV-T1-E3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
26929
NUMERO DI PEZZO
SI3442BDV-T1-E3-DG
PREZZO UNITARIO
0.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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