Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF3709S
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IRF3709S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventario:
13064101
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IRF3709S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
HEXFET®
Imballaggio
Tube
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2672 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
D2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
*IRF3709S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
PSMN4R3-30BL,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
9945
NUMERO DI PEZZO
PSMN4R3-30BL,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.58
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
PSMN017-30BL,118
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
1868
NUMERO DI PEZZO
PSMN017-30BL,118-DG
PREZZO UNITARIO
0.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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