Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPW65R080CFDAFKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPW65R080CFDAFKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 43.3A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventario:
493 Pz Nuovo Originale Disponibile
12801391
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IPW65R080CFDAFKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
43.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 17.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1.76mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4440 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
391W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IPW65R080
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
SP000875806
2156-IPW65R080CFDAFKSA1
INFINFIPW65R080CFDAFKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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