Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPW60R070CFD7XKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPW60R070CFD7XKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 31A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Inventario:
1513 Pz Nuovo Originale Disponibile
13064163
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPW60R070CFD7XKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Imballaggio
Tube
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 15.1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 760µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2721 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO247-3-21
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
IPW60R070
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
SP001617990
IPW60R070CFD7
448-IPW60R070CFD7XKSA1
IPW60R070CFD7XKSA1-ND
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRFR18N15D
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
IRFB41N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 41A TO220AB
IRF9540NPBF
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
