Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPU50R950CEAKMA2
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPU50R950CEAKMA2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventario:
12805703
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPU50R950CEAKMA2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
-
Serie
CoolMOS™ CE
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
231 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
53W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO251-3
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
IPU50R
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,500
Altri nomi
2156-IPU50R950CEAKMA2
ROCINFIPU50R950CEAKMA2
SP001396806
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STD7NM80
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
4929
NUMERO DI PEZZO
STD7NM80-DG
PREZZO UNITARIO
1.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRLS3036PBF
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRF7322D1TR
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
IPP90N06S4L04AKSA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
