Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPP65R125C7XKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPP65R125C7XKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
470 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804450
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IPP65R125C7XKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 440µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
101W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP65R125
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP001080132
2156-IPP65R125C7XKSA1
INFINFIPP65R125C7XKSA1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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