IPP65R125C7XKSA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IPP65R125C7XKSA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IPP65R125C7XKSA1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventario:

470 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804450
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IPP65R125C7XKSA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 440µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
101W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP65R125

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP001080132
2156-IPP65R125C7XKSA1
INFINFIPP65R125C7XKSA1

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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