Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPP180N10N3GXKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPP180N10N3GXKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
170 Pz Nuovo Originale Disponibile
12808460
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IPP180N10N3GXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 33A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 33µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
71W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP180
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-IPP180N10N3GXKSA1
IPP180N10N3 G-DG
IPP180N10N3G
IPP180N10N3 G
448-IPP180N10N3GXKSA1
IPP180N10N3GXKSA1-DG
SP000683090
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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