Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPP041N04NGXKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPP041N04NGXKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
531 Pz Nuovo Originale Disponibile
12803696
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IPP041N04NGXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 45µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
94W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3-1
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP041
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
SP000680790
IPP041N04N G-DG
2156-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NGXKSA1-DG
IPP041N04N G
448-IPP041N04NGXKSA1
IPP041N04NG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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