Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPP023N08N5AKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPP023N08N5AKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventario:
367 Pz Nuovo Originale Disponibile
12805804
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IPP023N08N5AKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.8V @ 208µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
166 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
12100 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP023
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
IPP023N08N5AKSA1-DG
2156-IPP023N08N5AKSA1
448-IPP023N08N5AKSA1
SP001132482
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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