Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPP015N04NGXKSA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPP015N04NGXKSA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventario:
438 Pz Nuovo Originale Disponibile
12814859
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPP015N04NGXKSA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tube
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
20000 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO220-3-1
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IPP015
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
IPP015N04N G-DG
SP000680760
448-IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04NG
IPP015N04NGXKSA1-DG
2156-IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04N G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
LND150N3-G-P002
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
IRF3711ZCS
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
