Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPN60R1K0CEATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPN60R1K0CEATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 6.8A SOT223
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventario:
12818273
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IPN60R1K0CEATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 130µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
280 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
5W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-SOT223-3
Pacchetto / Custodia
TO-261-4, TO-261AA
Numero di prodotto di base
IPN60R1
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
IPN60R1K0CEATMA1-DG
2156-IPN60R1K0CEATMA1TR
SP001434884
IPN60R1K0CEATMA1CT
IPN60R1K0CEATMA1DKR
IPN60R1K0CEATMA1TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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