Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPDD60R150G7XTMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPDD60R150G7XTMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-10-1
Inventario:
41 Pz Nuovo Originale Disponibile
12804700
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IPDD60R150G7XTMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ G7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 5.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 260µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
902 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
95W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-HDSOP-10-1
Pacchetto / Custodia
10-PowerSOP Module
Numero di prodotto di base
IPDD60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,700
Altri nomi
2156-IPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1TR
IPDD60R150G7XTMA1CT
IFEINFIPDD60R150G7XTMA1
IPDD60R150G7XTMA1DKR
SP001632838
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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