Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD80R4K5P7ATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD80R4K5P7ATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
12800597
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IPD80R4K5P7ATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
80 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD80R4
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD80R4K5P7ATMA1TR
IPD80R4K5P7ATMA1CT
SP001422632
IPD80R4K5P7ATMA1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
AOD2N60
FABBRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
26961
NUMERO DI PEZZO
AOD2N60-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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