IPD80R4K5P7ATMA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IPD80R4K5P7ATMA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IPD80R4K5P7ATMA1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 13W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventario:

12800597
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IPD80R4K5P7ATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
80 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
13W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD80R4

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD80R4K5P7ATMA1TR
IPD80R4K5P7ATMA1CT
SP001422632
IPD80R4K5P7ATMA1DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
AOD2N60
FABBRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
26961
NUMERO DI PEZZO
AOD2N60-DG
PREZZO UNITARIO
0.20
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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