IPD60R600P7ATMA1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IPD60R600P7ATMA1

Product Overview

Produttore:

Infineon Technologies

Numero di Parte:

IPD60R600P7ATMA1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventario:

4810 Pz Nuovo Originale Disponibile
12801765
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

IPD60R600P7ATMA1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 80µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
363 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD60R

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SP001606046
IPD60R600P7ATMA1DKR
IPD60R600P7ATMA1CT
IPD60R600P7ATMA1TR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
infineon-technologies

AUIRFSA8409-7TRL

MOSFET N-CH 40V 523A D2PAK

infineon-technologies

IPA70R750P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 6.5A TO220

infineon-technologies

IPC100N04S51R9ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

infineon-technologies

IPB180P04P403ATMA1

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7