Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD60R3K4CEAUMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD60R3K4CEAUMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventario:
4380 Pz Nuovo Originale Disponibile
12810097
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IPD60R3K4CEAUMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CE
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 40µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
93 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
29W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD60R
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
448-IPD60R3K4CEAUMA1CT
SP001422856
448-IPD60R3K4CEAUMA1TR
448-IPD60R3K4CEAUMA1DKR
IPD60R3K4CEAUMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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