Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD30N06S2L13ATMA4
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 55 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
19615 Pz Nuovo Originale Disponibile
12800492
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPD30N06S2L13ATMA4 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
55 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 80µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
136W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3-11
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD30N06
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD30N06S2L13ATMA4TR
SP001061280
2156-IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4DKR
INFINFIPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4-DG
IPD30N06S2L13ATMA4CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IPD122N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
BUZ31
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
IPD90N04S403ATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
