Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPD25N06S4L30ATMA2
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventario:
16688 Pz Nuovo Originale Disponibile
12805665
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IPD25N06S4L30ATMA2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 8µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1220 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
29W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO252-3-11
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
IPD25N06
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
IPD25N06S4L30ATMA2TR
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
2156-IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2DKR
SP001028636
IPD25N06S4L30ATMA2CT
IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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