Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB80N06S407ATMA2
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB80N06S407ATMA2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
1176 Pz Nuovo Originale Disponibile
12800347
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IPB80N06S407ATMA2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 40µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
79W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB80N
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2156-IPB80N06S407ATMA2
448-IPB80N06S407ATMA2DKR
IFEINFIPB80N06S407ATMA2
SP001028672
IPB80N06S407ATMA2-DG
448-IPB80N06S407ATMA2CT
448-IPB80N06S407ATMA2TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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