Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB80N06S405ATMA2
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB80N06S405ATMA2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
753 Pz Nuovo Originale Disponibile
12803074
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
IPB80N06S405ATMA2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 60µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6500 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB80N
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
IPx80N06S4-05
Scheda Dati HTML
IPB80N06S405ATMA2-DG
Schede dati
IPB80N06S405ATMA2
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
448-IPB80N06S405ATMA2CT
IPB80N06S405ATMA2-DG
SP001028718
448-IPB80N06S405ATMA2DKR
2156-IPB80N06S405ATMA2TR
448-IPB80N06S405ATMA2TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTA230N075T2-7
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA230N075T2-7-DG
PREZZO UNITARIO
4.43
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTA200N055T2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA200N055T2-DG
PREZZO UNITARIO
1.77
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTA140N055T2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTA140N055T2-DG
PREZZO UNITARIO
1.85
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
IRF3707S
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRFR120NTRPBF
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
IRFS4321TRRPBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
IRF7524D1PBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8