Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB65R110CFDAATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventario:
1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12805519
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IPB65R110CFDAATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 1.3mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
277.8W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB65R110
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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