Numero di Prodotto del Fabbricante:
IPB60R099CPAATMA1
Product Overview
Produttore:
Infineon Technologies
Numero di Parte:
IPB60R099CPAATMA1-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventario:
700 Pz Nuovo Originale Disponibile
12800914
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IPB60R099CPAATMA1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Infineon Technologies
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CP
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 1.2mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2800 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
255W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PG-TO263-3-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IPB60R099
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
448-IPB60R099CPAATMA1DKR
IPB60R099CPAATMA1TR
IPB60R099CPAATMA1TR-DG
448-IPB60R099CPAATMA1TR
SP000315443
IPB60R099CPA
448-IPB60R099CPAATMA1CT
IPB60R099CPA-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB40N60M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
775
NUMERO DI PEZZO
STB40N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
2.83
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
FCB110N65F
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
4800
NUMERO DI PEZZO
FCB110N65F-DG
PREZZO UNITARIO
3.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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